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現(xiàn)貨HORIBA堀場(chǎng)等離子發(fā)射監(jiān)測(cè)器EV2.0 STD 在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)儀可用于廣泛的應(yīng)用，從各種等離子體室的研發(fā)到生產(chǎn)線，例如工藝終點(diǎn)檢測(cè)、狀態(tài)管理和等離子體診斷。

進(jìn)口HORIBA堀場(chǎng)EV2.0 HR等離子發(fā)射監(jiān)測(cè)器 在半導(dǎo)體制造工藝中，等離子體技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種制造工藝中，包括薄膜沉積和蝕刻。 該等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)儀可用于廣泛的應(yīng)用，從各種等離子體室的研發(fā)到生產(chǎn)線，例如工藝終點(diǎn)檢測(cè)、狀態(tài)管理和等離子體診斷。

原裝HORIBA堀場(chǎng)等離子發(fā)射控制器RU-1000 使用反應(yīng)濺射將觸摸面板和玻璃基板的薄膜沉積在基材上。反應(yīng)性濺射是在真空中使濺射粒子與氧或氮發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來(lái)成膜的方法，但定量供給反應(yīng)氣體的方法會(huì)減慢成膜速度，難以實(shí)用化。然而，已知存在一種不穩(wěn)定的過(guò)渡模式，其中沉積速率在沉積速率快??的反應(yīng)模式和金屬模式之間變化很大，并且可以通過(guò)基于等離子體控制反應(yīng)氣體來(lái)維持過(guò)渡區(qū)域排放強(qiáng)度。

北崎HORIBA堀場(chǎng)MU-3000多組分氣體混合裝置 根據(jù)生成的氣體成分配備質(zhì)量流量控制器，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的操作生成混合氣體。 我們的產(chǎn)品陣容涵蓋從 2 種成分到最多 6 種成分的氣體混合物。 控制軟件具有程序操作功能、氣體濃度設(shè)定功能等，是適合各種研究開(kāi)發(fā)用途的氣體發(fā)生系統(tǒng)。

日本供應(yīng)HORIBA堀場(chǎng)氣體混合裝置MU-2200 混合氣體發(fā)生器：MU系列配備高性能質(zhì)量流量控制器，均勻混合生成兩種或多種氣體。操作面板上采用觸摸屏，通過(guò)輸入混合氣體濃度和流量，生成任意濃度的混合氣體。

原裝現(xiàn)貨HORIBA堀場(chǎng)IR-300氣體濃度監(jiān)測(cè)儀 用于鼓泡供應(yīng)管線的在線氣體濃度監(jiān)測(cè)器。用于原料氣體的穩(wěn)定供應(yīng)。 MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）廣泛應(yīng)用于LED制造工藝和光學(xué)器件制造工藝中。該 MOCVD 設(shè)備采用液體/固體材料，通常使用鼓泡方法將其作為汽化氣體輸送到腔室。